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DRAM供应商正准备过渡到1znm工艺

三星电子,SK Hynix和美光科技都开发了各自的1z纳米工艺技术,用于制造DRAM存储器,目标是数据中心和其他高端设备应用。

SK Hynix最近宣布开发1znm 16Gb DDR4 DRAM,并计划于2020年开始量产。

美光在2019年8月表示,已经在其位于日本广岛的工厂从事使用1znm工艺技术制造的DRAM芯片的风险生产。 该公司表示,美光科技开始通过向16z DDR4内存解决方案的量产开始向1znm工艺技术过渡,并补充说,更先进的制造节点将准备在2020年上半年在美光公司位于台湾的一家工厂进行批量生产。

美光科技此前曾表示,它将专注于2019财年的技术转型,其台湾DRAM晶圆厂将过渡到更先进的1y / 1znm工艺技术。 美光在台湾中部台中的工厂现场,正准备过渡到较新的1znm节点,并计划于2020年及以后量产。

2019年初,三星声称已开发出业界首款1znm 8Gb DDR4 DRAM。 该公司表示,将在2019年下半年开始量产1znm 8Gb DDR4,以容纳将于2020年推出的下一代企业服务器和高端PC。

此外,先前的报道援引业内消息人士的话说,三星已经开始从事结合了极紫外(EUV光刻技术的增强型1znm工艺技术的开发。 由于相关设备的高昂成本,SK Hynix和美光公司仍在评估何时转换为基于EUV的工艺技术。

市场观察家认为1znm DRAM的制造成品率要到2020年下半年才会稳定和成熟。

· 2019-10-23 09:14  本新闻来源自:digitimes,版权归原创方所有

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