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美光提供基于UFS的多芯片封装方式

近日美光宣布他们将开始使用1z纳米工艺进行DRAM颗粒的生产,同日他们还宣布大容量的LPDDR4X内存颗粒已经开始量产了,并且提供将NAND和DRAM两种颗粒封装到一起的芯片
DRAM制造行业的制程更新要比做计算芯片的慢一些,镁光的1z纳米工艺是他们在10纳米节点的第三代工艺,在六月份美光第三季度的财报会议准备文件中,他们就已经将迈入1z纳米工艺作为下一个财年的重要事项写进去了。而同时他们实际进入1z纳米工艺的时间也比内部时间表要早那么一些。
对于DRAM来说,更新的工艺能够做出单片容量更加大的内存颗粒来,也更加的省电。而首批采用1z纳米工艺的产品将是美光新的16Gb容量的DDR4以及LPDDR4X内存颗粒,尤其是后者,对于目前移动端越来越大的内存大小和带宽的需求,容量越大、速度越高并且更加省电的内存颗粒是移动厂商们的最爱,美光的大容量LPDDR4X颗粒还正好赶上了Intel的IceLake处理器开始正式出货,而新的处理器加上了对于频率为3733MHz的LPDDR4X内存支持,在中高端轻薄笔记本市场上面,美光的新颗粒也有很大的市场了。
而对于大容量的DDR4颗粒来说,它们的用途多在制造大容量内存条上面,目前单条32GB的产品还没成为桌面端的主流,但是对于工作站和服务器来说,这种单条大容量的内存条是刚需。
在提供8x16Gb也就是16GB大小、最高频率可以达到4266MT/s的内存的同时,美光还提供了一种基于UFS的多芯片封装方式——uMCP4,它可以将NAND和DRAM整合在一个封装中,目前有64GB+3GB和256GB+8GB两种配置,这种封装可以减少存储芯片们所占据的位置。
日前有报道称,美光将在中科园区投资4000亿新台币(约合900多亿人民币)建设A3、A5两座晶圆厂,预计今年Q4季度开始生产最先进的1Znm工艺DRAM内存芯片,规划的产能高达6万片晶圆/月。
在当前内存价格连跌了三个季度、市场供需面临不确定时,美光此时大举增加投资扩产内存产能,此举被业内人士视为内存价格进一步下滑的开始。
不过美光方面回应称,A3工厂预计明年Q4季度完工,主要是扩建了无尘室,A5工厂目前还在寻找地点,尚无具体规划,投资金额也不便透露。
美光强调,目前在全球的产能布局原则仅仅是提升制程工艺,重点是提升存储产品的容量,但不会增加晶圆投片数量,换句话说就是美光增加内存投资也只是为了提升产品的容量,提高自家产品的竞争力,但是晶圆产能并不会增加,市场上的供需情况不会因为这些投资而变。
在扩建内存产能之前,美光前几天还扩建了位于新加坡的Fab 10A闪存工厂,新盖了无尘室等生产设施,提高了Fab 10晶圆厂的生产灵活性,但美光同样强调并不打算增产NAND,通过资本开支调整、技术转换等方式,Fab 10厂区的总产能不变。

· 2019-09-22 18:06  本新闻来源自:AIOT大数据,版权归原创方所有

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