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内存市场预计将在2020年反弹

据市场观察人士称,新兴的人工智能物联网5G应用将刺激相关的芯片和元件需求,明年可能会在内存市场出现反弹。

由于服务器等终端市场需求的下滑,内存芯片价格在2018年第四季度开始下降。 观察人士指出,内存市场的低迷阻碍了芯片供应商今年增加资本支出。

IC Insights预测,2019年DRAM闪存领域的资本支出将分别下降19%和21%。“今年DRAM和闪存市场的支出大幅削减是主要内存的尝试供应商防止在2019年下半年和2020年进一步降价,“IC Insights表示。

应用材料公司表示,可能会鼓励NAND闪存芯片制造商从2020年开始加快投资步伐。该制造商表示,NAND闪存市场的支出将在明年的DRAM市场之前开始复苏。

Adata Technology董事长Simon Chen此前表达了对明年内存市场的乐观态度。 陈说,随着5G,AIoT和汽车电子应用在全球范围内快速增长,2021 - 2022年内存芯片的需求将会强劲增长。

SEMI在其最近的报告中还披露,2019年开始建设的设施将在2020年上半年开始装备,其中一些设施早在2020年中期开始提高产量。 这些新的晶圆厂项目每月将增加超过740,000片晶圆(相当于200毫米晶圆),其中大部分额外容量专用于代工厂(37%),其次是存储器(24%)和MPU(17%)。

SEMI表示,对于2020年开工建设的新工厂项目的投资预计将达到近500亿美元,比2019年增加约120亿美元。预测还表明2020年对于存储器行业将是积极的。

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