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AMD公布3D封装技术:处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起

目前的智能手机普遍实现了处理器SoC和内存(DRAM)的堆叠式封装(PoP),从AMD日前公布的信息来看,PC产品也有望实现类似的技术。

在Rice Oil&Gas高性能计算会议上,AMD高级副总裁Forrest Norrod介绍,他们正跟进3D封装技术,目标是将DRAM/SRAM(即缓存等)和处理器(CPU/GPU)通过TSV(硅穿孔)的方式整合在一颗芯片中。

其实此前,AMD就率先推出了HBM显存产品,实现了GPU芯片和显存芯片整合封装,但那仅仅属于2.5D方案。

3D堆叠的好处在于缩短了电流传递路径,也就是会降低功耗。不过,3D封装的挑战在于如何控制发热。

遗憾的是,AMD并未公布更多技术细节。

AMD称,虽然光刻工艺在精进,但是频率甚至要开始走下坡路,需要一些新的设计助力。

其实Intel今年也公布了名为Foveros的3D芯片封装技术,将22nm I/O基板、10nm Sunny Core和四核Atom整合在一起,功耗仅7瓦。

· 2019-03-20 10:26  本新闻来源自:芯智讯,版权归原创方所有

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