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三星,SK海力士跨越100层里程碑

 NAND供应商和合作伙伴在第14 年度闪存峰会上争夺一席之地。 三星SK海力士表示,他们将在今年推出超过100层的3D芯片,而东芝推出了低延迟NAND,它希望能够进入DRAM市场。

这一消息是今年活动的少数亮点之一,吸引了众多人群,但不是三星或美光的主要人物。 SK海力士和西部数据公司都将软件作为扩展存储的下一个杠杆,而展会上则充斥着PCIe Gen 4固态硬盘(SSD)和各种存储加速器。

随着NAND价格接近内存市场急剧下滑的底部,大门开启。 过去两年内存需求和价格的激增,部分原因是由于超大规模的高支出,引发了芯片制造商的大量资本支出投资,导致目前的供过于求。

客观分析的Jim Handy表示,“三星和其他人仍然认为复苏即将来临,但他们不知道何时会结束。”

与此同时,供应商正在推出96层3D NAND芯片,并转向128层产品。 “每个人都认为他们可以做500层筹码,”汉迪说。

Forward Insights的分析师Gregory Wong更看好记忆市场。 他看到分销商的NAND价格已经上涨。 “它正在转​​弯,所以Q3可能是最低点,”Wong说。

从其韩国总部,三星宣布它正在生产中,使用250 GB的SSD,使用新的256-Gbit NAND,每个单元三位,超过100层。 它采用双堆栈设计,分别支持低于450和45微秒的写入和读取,比上一代快10%,同时功耗降低15%。

该芯片使用6.7亿个硅通孔,低于上一代的9.3亿个,使用更少的工艺步骤制造更小的芯片。 该存储器巨头建议,在大约一年内,它预计将采用三层设计,运送超过300层的512-Gbit NAND芯片。 它承诺在今年年底之前在SSD中安装一些512-Gbit芯片。

为了保持这一步伐,SK海力士表示将在今年年底前推出Tbit 3D NAND芯片。 芯片使用128层并在闪存单元下封装外围电路。 8个芯片将使11.5x13mm TByte模块厚度仅为1毫米。

· 2019-08-09 08:58  本新闻来源自:半导体指南,版权归原创方所有

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