芯片制造商加紧向96层3D NAND流程过渡

据业内人士称，芯片制造商正在积极改进其新的96层3D NAND工艺良率，并希望该技术在2020年成为主流。

过渡到96层3D NAND工艺技术将有助于供应商降低制造成本并提高产品竞争力。

使用96层3D NAND工艺制造的芯片将占2019年全球NAND闪存位输出的30％以上。随着供应商加快技术转型并提高工艺良率，96层NAND闪存输出有望超过消息人士指出，2020年的64层芯片产量。

消息人士称，今年NAND闪存市场供过于求。 已经促使芯片制造商放慢产能扩张步伐，甚至削减产量以更好地控制库存水平。

美光科技公布了其NAND闪存产量进一步削减10％的计划，而SK海力士估计其今年生产的NAND晶圆总量将比2018年水平低10％以上。

据报道，三星电子公司将在短期内对其生产线进行调整，以应对日韩贸易争端的影响。

消息人士认为，这些主要的NAND芯片供应商的计划减产将专注于降低64层3D和成熟产品的生产比例。

据消息人士称，此外，许多NAND闪存芯片制造商已经交付了120/1288层3D芯片样品。 在128层3D NAND批量生产的竞争中，主要芯片制造商之间的竞争将在2019年下半年到2020年之间展开。