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芯片制造商加紧向96层3D NAND流程过渡

据业内人士称,芯片制造商正在积极改进其新的96层3D NAND工艺良率,并希望该技术在2020年成为主流。

过渡到96层3D NAND工艺技术将有助于供应商降低制造成本并提高产品竞争力。

使用96层3D NAND工艺制造的芯片将占2019年全球NAND闪存位输出的30%以上。随着供应商加快技术转型并提高工艺良率,96层NAND闪存输出有望超过消息人士指出,2020年的64层芯片产量。

消息人士称,今年NAND闪存市场供过于求。 已经促使芯片制造商放慢产能扩张步伐,甚至削减产量以更好地控制库存水平。

美光科技公布了其NAND闪存产量进一步削减10%的计划,而SK海力士估计其今年生产的NAND晶圆总量将比2018年水平低10%以上。

据报道,三星电子公司将在短期内对其生产线进行调整,以应对日韩贸易争端的影响。

消息人士认为,这些主要的NAND芯片供应商的计划减产将专注于降低64层3D和成熟产品的生产比例。

据消息人士称,此外,许多NAND闪存芯片制造商已经交付了120/1288层3D芯片样品。 在128层3D NAND批量生产的竞争中,主要芯片制造商之间的竞争将在2019年下半年到2020年之间展开。

· 2019-07-22 17:32  本新闻来源自:digitimes,版权归原创方所有

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