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采用Easy 2B封装的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT可提高系统效率

与传统的3级中性点钳位拓扑结构相比,先进的中性点钳位(ANPC)逆变器设计支持半导体器件之间均匀的损耗分布。 英飞凌科技股份公司在1200 V系列中采用ANPC拓扑结构,用于其混合SiCIGBT功率模块EasyPACK 2B。 该模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最佳点损耗进行了优化,具有更高的功率密度和高达48 kHz的开关频率。 这特别适合新一代1500 V光伏和储能应用的需求。

新的ANPC拓扑结构支持超过99%的系统效率。 在例如1500V太阳能串逆变器的DC / AC级中实施混合Easy 2B功率模块允许线圈小于具有较低开关频率的设备。 因此,其重量明显小于具有纯硅部件的相应逆变器。 另外,碳化硅的损耗小于硅的损耗。 因此,必须消散较少的热量,以使散热器也能收缩。 总的来说,这导致更小的逆变器外壳和系统级的成本节省。 与5级拓扑相比,3级设计降低了逆变器设计的复杂性。

用于电源模块的Easy 2B标准封装具有业界领先的低杂散电感特性。 此外,CoolSiC MOSFET芯片的集成体二极管确保了低损耗续流功能,无需使用其他SiC二极管芯片。 虽然NTC温度传感器有助于监控设备,但PressFIT技术缩短了安装设备的组装时间。

· 2019-07-22 17:29  本新闻来源自:timestech,版权归原创方所有

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