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英特尔推出三种产品差异化芯片封装方法

英特尔推出了三种用于2D和3D芯片堆叠的芯片封装方法,以增强混合集成电路和工艺技术的异构方法。

该开发基于英特尔的EMIB(嵌入式多芯片互连桥接器),而Foveros则是英特尔3D封装方法的名称。

Semicon West公布的产品包括Co-EMIB,全向互连(ODI)和MDIO(多芯片接口)

Co-EMIB:该技术允许两个或更多个Foveros元件的互连,基本上具有单个芯片的性能。 设计人员还可以以非常高的带宽和极低的功耗连接模拟,存储器和其他瓷砖。

ODI:英特尔全新的全向互连为封装中小芯片之间的通信提供了灵活性。 顶部芯片可以与其他小芯片水平通信,类似于EMIB。 它也可以使用硅通孔(TSV)垂直通信到下面的基本芯片,类似于Foveros。 ODI利用大型垂直过孔,允许直接从封装基板向顶部芯片供电。 比传统TSV大得多,大通孔具有更低的电阻,通过堆叠实现更高带宽和更低延迟,同时提供更强大的电力传输。 同时,这种方法减少了基极芯片所需的TSV数量,为有源晶体管释放了更多的面积并优化了芯片尺寸。

MDIO:基于其高级接口总线(AIB)PHY级互连,英特尔公开了一种称为MDIO的芯片到芯片接口。 该技术通过芯片级知识产权块库实现了系统设计的模块化方法。 英特尔表示,MDIO提供更好的电源效率,是AIB提供的引脚速度和带宽密度的两倍多。

“英特尔的垂直整合结构在异构集成时代提供了优势,为我们提供了无与伦比的共同优化架构,流程和封装以提供领先产品的能力,”英特尔公司装配和测试技术开发副总裁Babak Sabi表示。在一份声明中。

· 2019-07-14 20:01  本新闻来源自:eenws,版权归原创方所有

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