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SiP封装工艺3—Wafer BG&Dicing

 

Wafer Back Grinding(晶圆研磨)

为保持一定的可操持性,Foundry出来的圆厚度一般在700um左右。封测厂必须将其研磨减薄,才适用于切割、组装,一般需要研磨到200um左右,一些叠die结构的memory封装则需研磨到50um以下。常用的Wafer研磨、切割流程如下图。


常用的几种BG流程

晶圆研磨主要可分为下面三个步骤:Taping(贴膜) → Back Grinding(背面研磨) → Detaping(去膜)。

Taping(贴膜):在晶圆的正面(Active Area)贴上一层保护膜,保护芯片电路区域在研磨时不被刮伤,如下图所示。


进料wafer、贴膜机及贴膜后的wafer

Back Grinding(背面研磨):将贴膜后的晶圆放在真空吸盘上,真空吸盘其旋转。研磨砂轮转动的同时对晶圆施压,将其研磨到最终需要的厚度,如下图所示。


BG示意图

Detaping(去膜):晶圆研磨后,将保护膜经紫外光照射后剥离,如下图。


研磨后的wafer

Dicing(晶圆切割)

晶圆切割流程:Wafer Mounting (晶圆贴片)→ Die Singulation(芯片切单)。

Wafer Mounting(晶圆贴片):贴膜的主要作用是防止芯片在切割时散落,另外也方便后续Die Attche工序拾取芯片。


Wafer贴片材料、设备及贴片效果图

Dicing芯片切割):芯片切割又叫划片,目前主要有两种方式:刀片切割和激光切割。


Wafer切割,及切割前后wafer细节对比

Wafer切割后,所有的芯片已完全分离开,将其放入晶圆框架盒中,流去下一工序。


晶圆及框架盒

· 2019-02-25 07:55  本新闻来源自:IC封装设计,版权归原创方所有

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