芯片制造商加速向120/128层3D NAND流程的过渡

据业内人士称，芯片制造商已经加强了各自的120/128层3D NAND闪存工艺技术的开发，以提高成本竞争力，并准备在2020年开始技术转型。

据消息人士称，一些主要的NAND闪存芯片制造商已经提供了针对2020年上半年的128层芯片样品，用于批量生产。 消息人士称，NAND闪存价格的持续下跌以及需求方面的不确定性上升促使玩家因成本原因加速技术进步。

NAND闪存市场价格下跌正在削弱芯片制造商的盈利能力。 消息人士指出，行业领导者三星电子也不例外，因为供应商的NAND闪存业务遭受利润侵蚀几乎达到收支平衡点。

自2018年末以来，三星和其他主要芯片制造商已开始削减产量，旨在稳定NAND闪存价格，但这种努力几乎没有奏效，因为64层3D NAND工艺已经是一项成熟技术，而64层3D NAND闪存部分仍然存在消息人士表示，供过于求。

据消息人士称，一些主要的NAND闪存供应商已经开始加速向更新的120/128层3D NAND工艺技术的过渡。 此举是为了在NAND闪存市场价格下跌的情况下提升其成本结构。

同时，据消息人士称，芯片制造商90/96层3D NAND工艺技术的收益率仍然不稳定，这可能为今年的市场和价格带来更多变数。