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英特尔称EUV Ready,具有挑战性

加利福尼亚州圣何塞 - 极端紫外线(EUV光刻技术已经“准备好引入......并且正在大量开发用于技术开发,”英特尔EUV计划负责人表示。 但她说,工程师仍然面临着利用复杂而昂贵的系统来制造大批量领先芯片的几个挑战。

Britt Turkot是英特尔EUV的一名研究员,他表示,房间大小的系统正在俄勒冈州波特兰市的巨型工厂中运行。 她不愿透露EUV将如何或是否将用于该公司现在的10纳米产品或其计划的7纳米节点。

英特尔是二十多年前帮助开拓该技术的半导体公司之一,但也是最后一家确认其使用的公司。 去年,竞争对手三星台积电分别宣布,他们正在利用EUV系统扩展7纳米节点,以打印其最好的功能。

然而,两位消息人士表示台积电的N7 +仅使用4个金属层的EUV。 这意味着它仍然需要使用传统浸入式步进器的双重图案来形成一些金属层。

台积电的决定可能是“关于吞吐量,他们拥有多少EUV机器,以及成本权衡......三星可能在EUV机器上投入更多资金,”一位不愿透露姓名的消息人士表示。

这些系统每个花费约1.5亿美元,商业生产线需要几个。

台积电发言人表示:“我们确实在多层次中部署了双重模式。”他拒绝评论代工厂为其N7 +节点使用EUV的金属层数。 “使用浸入式双重图案与EUV的决定是基于许多考虑因素。 EUV的成本[和]成熟度与沉浸感绝对是重要的。“

另外,一位消息人士表示,三星正在积极削减其带有EUV的7纳米节点的价格,为一些初创公司提供了一个完整的掩模设置,其设置不到其竞争对手的多层掩模(MLM)设置。 台积电于2007年推出了MLM掩模套件,以降低小批量生产的成本。 据说它们占全套面具套装成本的60%左右。

三星拒绝就其代工厂价格或如何使用EUV发表评论。 一位三星高管推测,英特尔推出10纳米工艺的时间较晚,部分原因在于其雄心勃勃地使用有源栅极(COAG)结构上的接触 。 他说,三星将逐步向COAG迈进,拒绝提供细节。

在最近的一篇博客中,英特尔的首席工程官Murthy Renduchintala将该公司的10纳米节点描述为在某些方面雄心勃勃。 但他表示使用它的芯片现已投入生产,而7-nm节点的芯片正在取得良好进展。

在接受EE Times采访时,Turkot表示,英特尔还没有决定它将与EUV一起使用多少金属层,并补充说选择应用EUV的层是艺术和科学一样多。 “每层成本不是一个简单的计算 - 它不是直接的经济学。”

例如,单个EUV曝光有时可以将层的掩模数减少多达5:1的比例。 然而,浸入式步进器的双重图案可以帮助减少边缘放置错误,她指出。

· 2019-06-05 10:44  本新闻来源自:eetimes,版权归原创方所有

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