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eSilicon宣布推出5G基础设施ASIC的生产资格

eSilicon是FinFET ASIC的领先供应商,市场专用IP平台和先进的2.5D封装解决方案,今天宣布面向5G基础设施市场的大型2.5D FinFET ASIC正在进入最终产品资格。 该设计超过600mm 2 ,在硅插入器上包含多个HBM2存储器堆栈,采用超过100通道的SerDes,并包含超过800Mb的嵌入式SRAM。

该设计是多个生态系统合作伙伴的合作,包括用于高级封装的ASE ,用于高性能SerDes的Rambus ,用于14nm FinFET ASIC制造三星和HBM存储器堆栈以及用于硅中介层的 UMC 。

“这种规模的设计需要专门的分析和材料,因此生态系统参与者之间的协作变得比以往任何时候都更加重要,”ASE集团工程副总裁Calvin Cheung说。 “ASE很高兴在将如此庞大且具有挑战性的设计带入生产方面发挥了关键作用。”

“Rambus的高性能和灵活的SerDes技术,以及以各种速度运行的大量SerDes通道,是这种复杂ASIC的关键推动因素,”Rambus IP核的副总裁兼总经理Hemant Dhulla说。 “我们很高兴与我们的生态系统合作伙伴就战略要素展开合作,推动下一代5G网络的发展。”

“这是我们在这个14nm节点生产的最大模具之一,”三星半导体公司铸造销售和营销高级副总裁洪浩表示,“我们很高兴看到这种设计成功进入生产阶段。”

“我们先进的HBM2技术正在推动许多创新设计,例如eSilicon在这里的协作进步,”三星半导体公司内存营销副总裁Pablo Temprano表示。“5G市场将标志着这款2.5D FinFET技术效率的新纪元ASIC将帮助引领潮流。“

“许多5G设计都需要采用2.5D技术和硅中介层,”联华电子销售副总裁Walter Ng表示。 “联华电子的技术为这些设计提供了关键的推动因素。”

eSilicon全球制造业务副总裁Ajay Lalwani表示,“看到这种复杂的设计如此迅速地通过认证,这是令人欣慰的。” “将此设计投入生产是eSilicon与我们的生态系统合作伙伴之间真正的团队合作。 这种团队合作以及最终系统中这一复杂部分的成功是ASIC成功的新定义。“

关于 e Silicon 
eSilicon提供复杂的FinFET ASIC,市场特定的IP平台和先进的2.5D封装解决方案。 我们经过ASIC验证的差异化IP包括高度可配置的7nm 56G / 112G SerDes以及网络优化的16/14 / 7nm FinFET IP平台,具有HBM2 PHY,TCAM,专用存储器编译器和I / O库。 我们的neuASIC™平台提供AI专用IP和模块化设计方法,以创建适应性强,高效的AI ASIC。 eSilicon服务于高带宽网络,高性能计算,AI和5G基础设施市场。

· 2019-05-21 09:53  本新闻来源自:design-reuse,版权归原创方所有

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