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三星将在3nm节点引入纳米片晶体管

三星电子宣布推出其每年工艺节点路线图的更新,推出3nm全栅极(GAA),据报道将于2022年或之后推出。以上是IBM在VLSI技术研讨会上报道的5纳米片状晶体管在2017年。

3nm工艺分为两种型号--3GAAE和3GAAP--代表早期和正面,并将基于纳米片结构,在翅片中具有多个横向带状线。 这种纳米片设计已被IMEC研究机构作为FinFET的后续讨论进行了大量讨论,并由IBM与三星和Globalfoundries合作进行了研究。

“将GAA结构应用于我们的下一代工艺节点将使我们能够率先开启一个新的智能互联世界,同时也加强我们的技术领先地位,”执行副总裁兼代工销售和营销负责人Charlie Bae说。三星电子。

此外,三星称其7nm 7LPP工艺的目标是在2018年下半年投入生产。关键电路IP核正在开发中,目标是在2019年上半年完成。这一承诺的一个含义可能是三星将在2018年开始为智能手机生产自己的Exynos处理器,但通过三星代工厂向无晶圆芯片公司提供的产品可能需要等到2019年。也可能是三星将在2018年推出该工艺而不使用极紫外光刻EUVL) )并在2019年插入EUVL

然而,2017年等效事件的6nm工艺已从路线图中消失

三星宣布:

7LPP(7nm低功率Plus):7LPP是首款采用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术,有望在2018年首次投产。

5LPE(早期5nm低功耗):通过7LPP工艺的进一步创新,5LPE将实现更大的面积缩放和超低功耗优势。 这是与去年计划的5LPP的偏差,但应在2019年进入风险生产。

4LPE / LPP(4nm低功率Early / Plus:FinFET技术将扩展到4nm工艺,并将在2020年和2021年推出。

三星电子宣布推出其每年工艺节点路线图的更新,推出3nm全栅极(GAA),据报道将于2022年或之后推出。以上是IBM在VLSI技术研讨会上报道的5纳米片状晶体管在2017年。

3GAAE / GAAP(3nm Gate-All-Around Early / Plus):3nm工艺节点采用下一代器件架构GAA。 为了克服FinFET架构的物理尺寸和性能限制,三星正在开发其独特的GAA技术,即使用纳米片装置的MBCFET(多桥通道FET)。 通过增强栅极控制,3nm节点的性能将得到显着提高。

三星Foundry提供28nm和18nm FDSOI,具有嵌入式MRAM和RF功能以及10nm和8nm FinFET工艺。

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