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三星发布用于3nm门全能工艺的PDK

三星宣布其3nm制造工艺的物理设计套件(PDK)的alpha版本(v0.1)可供客户使用。

该公司还将其3nm工艺的到来推向2020/2021。 一年前,三星表示该工艺将在2022年或之后投入生产(参见三星在3纳米节点推出纳米片晶体管 )。

这一运动使三星在采用水平纳米片式晶体管制造方面处于领先地位,该晶体管制造业已广泛应用于晶体管制造领先的FinFET。

FinFET和GAA FET的比较显示出驱动电流的灵活性增加。 资料来源:三星铸造厂。

三星表示,与刚刚投入生产的7nm FinFET工艺相比,设计人员可以预期采用3nm工艺实现的电路占用面积减少45%,功耗降低50%,性能提高30%。

FinFET通过将沟道包裹在沟道的三个侧面上来增加栅极对半导体沟道的影响,从而改善了前沿性能。 下一步演变是为了创造全面的门结构。 这样可以提高性能并降低工作电压。 三星表示,使用FinFET很难将其降至0.75V以下。 在3nm GAA工艺中,这可以降低到0.7V。

用于多桥通道场效应晶体管的MBCFET是三星的GAA架构版本。

GAA的优势之一,以及PDK的到来很重要的原因是GAA比FinFET灵活得多。 不仅可以在晶体管中包括多个纳米片以增加驱动,而且纳米片的宽度也可以。

三星宣布其3nm制造工艺的物理设计套件(PDK)的alpha版本(v0.1)可供客户使用。

三星在其PDK中包含了四种不同的纳米片宽度。 专注于低功耗的晶体管设计将使用更窄的纳米片,而高性能晶体管或具有高扇出的晶体管设计可以使用更宽的片。 但这些宽度是连续体的一部分。

该公司已经表示3纳米工艺将分为两个版本 - 3GAAE和3GAAP--早期和晚上都有大门。 这些名称似乎被截断为3GAE和3GAP。

据报道,三星预计其3GAE工艺将在2022年首次出现胶带和所谓的风险生产,并在2021年末批量生产.320AP流程将针对2021年的风险生产和2022年的大规模生产进行优化说过。

· 2019-05-18 09:34  本新闻来源自:eenws,版权归原创方所有

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