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功率晶体管在增长泡沫结束后再创新高销售纪录

新的OSD报告称,经过两年的短缺,强劲的单位需求和更高的价格,功率晶体管市场将从2019年的两位数增长缓解到更正常的增长。

根据IC Insights的2019年OSD报告 ,功率晶体管的销售额增长率达到两位数,去年增长14%,达到创纪录的163亿美元,创下2017年的纪录,增长11%,达到历史新高163亿美元。 光电子学,传感器/执行器和分立器件的市场分析和预测 。 功率晶体管的强劲增长势头进入今年第一季度,全球销售额与2018年同期相比增长了近10%,但预计2019年下半年增长率将大幅放缓。根据350页的OSD报告 ,以大多数市场类别结束的部分。 预计2019年功率晶体管的销售额将增长5%,达到创纪录的171亿美元,然后在2020年下降2%,达到168亿美元(图1)。

图1

在过去两年中,功率晶体管收入受到强劲的单位出货量和由于设备短缺导致的价格上涨以及没有足够的制造能力来满足需求的推动而走高。 IC Insights的2019年OSD报告显示 ,2018年功率晶体管出货量在2018年增长了8%,达到创纪录的628亿台设备,此前该公司预计今年的单位产量将增加6%,达到667亿。 功率晶体管的平均销售价格在2018年增长了近6%,其中一些广泛使用的部件(如功率MOSFET)的交付周期在去年下半年超过40周,而正常市场条件下为8周。

功率晶体管制造商在过去一年中稳步增加了制造能力,但大多数供应商仍在努力赶上2019年第一季度的需求。大多数功率晶体管产品类型的供应预计将在今年下半年结束。部分原因是全球经济放缓以及2020年初设备出货需求增长放缓。如果不解决,中美之间日益激烈的贸易战也可能对2019年的晶体管市场产生负面影响。

根据新的OSD报告 ,2018年除了一个功率晶体管产品类别之外,其他所有类别的产品都实现了销售增长,但射频/微波功率晶体管除外,其年度下降了近1%。 2018年功率晶体管销售增长最强劲的是40-100V应用的功率FET,增长了21%,绝缘栅双极晶体管(IGBT)增长了20.3%。 其他主要的功率晶体管类别在2018年表现出强劲的销售增长:功率FET用于高达40V的应用(+ 17%); 功率FET适用于100-200V应用(+ 16%); 和IGBT功率模块(+ 15%)。 报告称,场效应晶体管(包括模块系统中使用的晶体管)占2018年总功率晶体管销售额的58%。 IGBT产品总量(模块和分立晶体管)占2018年功率晶体管销售额的32%。

在2017年和2018年两年两位数的增长泡沫之后,预计未来五年内功率晶体管市场将恢复到中低个位数百分比范围内更正常的增长,除外OSD报告预测2020年将下降2%。 预计2018年至2023年期间,功率晶体管的销售额将以3.3%的复合年增长率(CAGR)增长,预计全球收入将达到192亿美元。

· 2019-05-16 11:12  本新闻来源自:,版权归原创方所有

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