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Atomera增加了掺杂工程以提高晶体管性能

半导体材料许可公司Atomera Inc.(Los Gatos)宣布了一项技术,声称可以将5V硅晶体管的沟道导通电阻降低50%。

这项名为MST SP的技术是一种原子级工程材料,用于改善通道内电子迁移率,与基于该公司长期使用的Mears Silicon Technology(MST)的“智能”掺杂配置文件相结合。

MST以原始公司创始人Robert Mears的名字命名。

MST通常用于在硅晶片表面上沉积部分单层氧。 这些层的引入可用于帮助增强xy平面中的迁移率和电流,并在z方向上减小它,这通常是晶体管中的漏电流。

该公司表示,MST SP的突破性应用超过5V模拟到许多其他硅器件,包括平面CMOS器件。 许多电源管理IC和其他BCD处理设备使用5V开关。

Atomera首席执行官斯科特·比博在一份声明中说:“许多半导体制造商继续寻求像MST这样的'超越摩尔'的进步,以帮助他们在关键行业产品(如5V开关)中获得性能。我们最新的MST SP技术提供了突破直接适用于我们当前客户应用程序的三分之一以上的改进。 我们相信MST SP还可以改善许多其他产品领域,并将成为未来高性能电子设备的关键组成部分。“

当应用于混合信号和RF电路时,该技术可以提供芯片尺寸减小以及改进的模拟性能和更低的功率。

Atomera成立于2001年,由Robert Mears作为Nanovis LLC开发纳米级材料工程,之后在2016年成为Atomera之前被称为Mears Technologies.Mears之前曾是掺铒光纤放大器的先驱。

· 2019-05-03 21:11  本新闻来源自:eenews,版权归原创方所有

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