可靠性测试服务
主流程图
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联系我们uHAST ：高加速温湿度及偏压测试
目的:
评估 IC 产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程。
测试条件:
130℃， 85%RH, 1.1 VCC, Static bias，2.3 atm
失效机制：
电离腐蚀
封装密封性
THT ：恒温恒湿测试
目的:
评估 IC 产品在偏压下高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程。
测试条件:
85℃，85%RH, 500/1000hrs （有时会加偏置电压，测试称为THBT）
失效机制：
电离腐蚀
TST：高低温冲击试验
目的:
评估IC 产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。
测试条件:
Condition B: - 55℃ to 125℃
Condition C: - 65℃ to 150℃
失效机制：
电介质的断裂
材料的老化（如 bond wires）
导体机械变形
THT ：恒温恒湿测试
目的:
评估 IC 产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。
测试条件:
Condition B: - 55℃ to 125℃
Condition C: - 65℃ to 150℃
失效机制：
电介质的断裂
导体和绝缘体的断裂
不同界面的分层
可靠性测试服务
PCT 高压蒸煮试验 Pressure Cook Test (Autoclave Test)
目的:
评估 IC 产品在高温，高湿，高气压条件下对湿度的抵抗能力，加速其失效过程。
测试条件:
130℃， 85%RH, Static bias，15PSIG（2 atm）
失效机制：
化学金属腐蚀
封装密封性
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