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联系我们目的:
评估 IC 产品在偏压下高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程。
测试条件:
130℃, 85%RH, 1.1 VCC, Static bias,2.3 atm
失效机制:
电离腐蚀
封装密封性
目的:
评估 IC 产品在偏压下高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程。
测试条件:
85℃,85%RH, 500/1000hrs (有时会加偏置电压,测试称为THBT)
失效机制:
电离腐蚀
目的:
评估IC 产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。
测试条件:
Condition B: - 55℃ to 125℃
Condition C: - 65℃ to 150℃
失效机制:
电介质的断裂
材料的老化(如 bond wires)
导体机械变形
目的:
评估 IC 产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。
测试条件:
Condition B: - 55℃ to 125℃
Condition C: - 65℃ to 150℃
失效机制:
电介质的断裂
导体和绝缘体的断裂
不同界面的分层
目的:
评估 IC 产品在高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程。
测试条件:
130℃, 85%RH, Static bias,15PSIG(2 atm)
失效机制:
化学金属腐蚀
封装密封性
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