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可靠性测试服务

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uHAST :高加速温湿度及偏压测试

目的:

评估 IC 产品在偏压下高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程。

测试条件:

130℃, 85%RH, 1.1 VCC, Static bias,2.3 atm

失效机制:

电离腐蚀

封装密封性

uHAST :高加速温湿度及偏压测试
THT :恒温恒湿测试

THT :恒温恒湿测试

目的:

评估 IC 产品在偏压下高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程。

测试条件:

85℃,85%RH, 500/1000hrs (有时会加偏置电压,测试称为THBT)

失效机制:

电离腐蚀

TST:高低温冲击试验

目的:

评估IC 产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。

测试条件:

Condition B: - 55℃ to 125℃

Condition C: - 65℃ to 150℃

失效机制:

电介质的断裂

材料的老化(如 bond wires)

导体机械变形

TST:高低温冲击试验
TCT :高低温循环试验

THT :恒温恒湿测试

目的:

评估 IC 产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。

测试条件:

Condition B: - 55℃ to 125℃

Condition C: - 65℃ to 150℃

失效机制:

电介质的断裂

导体和绝缘体的断裂

不同界面的分层

可靠性测试服务

PCT 高压蒸煮试验 Pressure Cook Test (Autoclave Test)

目的:

评估 IC 产品在高温,高湿,高气压条件下对湿度的抵抗能力,加速其失效过程。

测试条件:

130℃, 85%RH, Static bias,15PSIG(2 atm)

失效机制:

化学金属腐蚀

封装密封性

PCT 高压蒸煮试验 Pressure Cook Test (Autoclave Test)

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